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PH2530AL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PH29EE010-150-3CF

SST
DIP-32

SST

Silicon Storage Technology, Inc

上傳：飛利飛科技有限公司

PH300S280-28

LAMBDA
模塊

LAMBDA

DENSEI-LAMBDA

上傳：深圳市恒達億科技有限公司

PH3330L

NXP/恩智浦
SOY669

恩XP

PH3830DL

NXP
SOT-669

恩XP

技術(shù)參數(shù)

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 漏源電壓（Vdss）：

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：

    100A（Tc）

  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：

    2.4 毫歐 @ 15A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：

    57nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：

    3468pF @ 12V

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LFPAK56，Power-SO8

  • 封裝/外殼：

    SC-100，SOT-669

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PH2530AL,115供應(yīng)商 更新時間2025-8-17 14:14:00

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