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PH1930AL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PH29EE010-150-3CF

SST
DIP-32

SST

Silicon Storage Technology, Inc

上傳:飛利飛科技有限公司

PH300S280-28

LAMBDA
模塊

LAMBDA

DENSEI-LAMBDA

上傳:深圳市恒達億科技有限公司

PH3330L

NXP/恩智浦
SOY669

恩XP

PH3830DL

NXP
SOT-669

恩XP

技術(shù)參數(shù)

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 漏源電壓(Vdss):

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):

    100A(Tc)

  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):

    2 毫歐 @ 15A,10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):

    64nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):

    3980pF @ 12V

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 供應商器件封裝:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封裝/外殼:

    SC-100,SOT-669

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Nexperia USA Inc.
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更多PH1930AL,115供應商 更新時間2025-8-16 10:09:00