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PESD5V0V1BLD-Q

VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode

1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishoused inaSOD882DleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewi

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PESD5V0V1BL-Q

VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode

1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinanSOD882 leadlessultra-smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectone signallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandben

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PESD5V0V1BLS

VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode

1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishoused inaleadlessultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)Surface-MountedDevice(SMD)pla

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PESD5V0V1BSF

UltralowprofilebidirectionalverylowcapacitanceESDprotectiondiode

1.1Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodein aSOD962leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)packagedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Featuresandbenefits Pb

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PESD5V0V1BX

BidirectionalESDprotectionofoneline

Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

PESD5V0V1USF

VerylowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiode

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PJE5V0V1DW

VeryLowCapacitanceESDProtection

PANJITPan Jit International Inc.

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