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PESD3V3L1BSL

ESDprotectiondevice

1.Generaldescription BidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaDFN1006-2(SOD882-S1) leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits ?B

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3L1UA

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes

1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3L1UA

300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs)

Features 300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Unidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)20A(8/20μs) Applications US

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

PESD3V3L1UA

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3L1UB

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiode

1.Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinanultrasmalland flatleadSOD523(SC-79)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotect onesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Feature

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3L1UB

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3L1UB

UnidirectionalESDprotectionofoneline

Features Applications ESDprotectionupto30kV Lowdiodecapacitance:Cd=34pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Lowclampingvoltage:VCL=11V AEC-Q101qualified Verylowleakagecurrent:IRM=100nA Computersandperipherals SubscriberIdentityModule(SIM)card protection Audioa

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

PESD3V3L1UB

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes

1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3L1UL

LowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiodes

1.1Generaldescription LowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinsmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignallinefrom thedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.Product

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PESD3V3L1UL

BIDIRECTIONALTVSDIODE

Features Protectsonedataline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant App

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PESD3V3L1ULSYL

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：

    3.3V（最大）

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：

    4.5A（8/20μs）

  • 電源線路保護：

    無

  • 應用：

    通用

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOD-882

  • 供應商器件封裝：

    DFN1006BD-2

  • 描述：

    TVS DIODE 3.3VWM DFN1006BD-2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PESD3V3L1ULSYL供應商 更新時間2025-7-19 22:59:00

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