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PDTD123E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD123E
廠商型號

PDTD123E

參數(shù)屬性

PDTD123E 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 3DFN

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

封裝外殼

3-XDFN 裸露焊盤

文件大小

245.81 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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PDTD123E規(guī)格書詳情

特性 Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* 500 mA output current capability

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTD123EQAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 3DFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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