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PDTC143ZT	文件：50.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143ZT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143ZT	文件：1.53009 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7k?,R2=47k? Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143ZT-Q	文件：229.91 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=4.7kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA143ZT-Q 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143ZU	文件：93.66 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kW,R2=47kW DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143ZU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143ZU	文件：1.53009 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7k?,R2=47k? Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143ZU-Q	文件：227.26 Kbytes Page：11 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=4.7kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTD143EQA	文件：2.34774 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■500mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts ■Built	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTD143EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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