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PDTC143EMB數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
PDTC143EMB |
| 參數(shù)屬性 | PDTC143EMB 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ |
| 封裝外殼 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 16:50:00 |
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描述 Description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA143EMB.
特性 Features
? 100 mA output current capability
? Reduces component count
? Built-in bias resistors
? Reduces pick and place costs
? Simplifies circuit design
? AEC-Q101 qualified
? Leadless ultra small SMD plastic package
? Low package height of 0.37 mm
應(yīng)用 Application
? Low-current peripheral driver
? Control of IC inputs
? Replaces general-purpose transistors in digital applications
? Mobile applications
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：PDTC143EMB
- 生產(chǎn)廠家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：4.7
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：4.7
- VCEO (V)
：50
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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