PDTC115TM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTC115TM |
| 參數(shù)屬性 | PDTC115TM 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open |
| 封裝外殼 | 3-XFDFN |
| 文件大小 |
78.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | PHI |
| 中文名稱 | 飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-23 23:01:00 |
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PDTC115TM規(guī)格書詳情
General description
NPN resistor-equipped transistors.
特性 Features
■ Built-in bias resistor
■ Reduces component count
■ Simplifies circuit design
■ Reduces pick and place costs
Applications
■ General-purpose switching and amplification
■ Circuit drivers
■ Inverter and interface circuits
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTC115TMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
30000 |
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詢價 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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詢價 | ||
恩XP |
1524+ |
SOT23 |
3000 |
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詢價 | ||
恩XP |
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詢價 | |||
恩XP |
24+ |
SST3(SOT-23-3) |
215 |
詢價 | |||
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT883 |
100500 |
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Nexperia |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
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詢價 | ||
恩XP |
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恩XP |
2023+ |
SOT23 |
8800 |
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詢價 |
