PDTC114YT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTC114YT |
| 參數(shù)屬性 | PDTC114YT 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：PDTC114YT/SOT23/TO-236AB |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k廓, R2 = 47 k廓 |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
181.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 17:31:00 |
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PDTC114YT規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
FEATURES
? Built-in bias resistors
? Simplified circuit design
? Reduction of component count
? Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
? General purpose switching and amplification
? Inverter and interface circuits
? Circuit driver.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTC114YTVL
- 制造商：
ETC
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
PDTC114YT/SOT23/TO-236AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
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