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PDTB123YS

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors

Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB123YS

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YT

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors

Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB123YT

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB123YT

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors ?±10re

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YT

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YT-Q

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT-Q. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123YU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PDTB123TS

  • 功能描述：

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
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