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PDTB123YS	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：75.37 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123YT	文件：240.7 Kbytes Page：9 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors ?±10re	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT-Q	文件：222.39 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT-Q. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC123	文件：50.48 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
IO [max] (mA)：
500
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
R2 (typ) (kΩ)：
2.2
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO (V)：
50

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市達(dá)恩科技有限公司	PDTB123ET	Nexperia	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
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更多PDTB123ET供應(yīng)商更新時間2025-7-28 14:16:00

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