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PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm

DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓

DESCRIPTION NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampli

ETC

ETC

PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k??R2=10k?

ETC

ETC

PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistors

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistors;R1=10kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaultrasmallSOT883(SC-101)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reduc

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC114EM

NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=10k?

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC114EMB

NPNresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. ??????? PNPcomplement:PDTA114EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresi

ETC

ETC

PDTC114EMB

NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Reducescomponentcount ?Built-inbiasresistors ?Reducespickandplacecosts ?Simplifiescircuitdesign ?AEC-Q101qualified ?LeadlessultrasmallSMDplastic package ?Lowpackageheightof0.37mm

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC114EQA

50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC114EQA

50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDTB114EUX

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 2.5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-323

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 0.425W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Nexperia(安世)
24+
SOT-323(SC-70)
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NEXPERIA/安世
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SOT-323
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Nexperia/安世
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18000
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更多PDTB114EUX供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 23:00:00

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