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PDTB114ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB114ET
廠商型號

PDTB114ET

參數(shù)屬性

PDTB114ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W

功能描述

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

絲印標(biāo)識

09

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

2.53511 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
NEXPERIA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 10:08:00

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PDTB114ET規(guī)格書詳情

特性 Features

? 500 mA output current capability

? Built-in bias resistors

? Simplifies circuit design

? Reduces component count

? ? 10 resistor ratio tolerance

? AEC-Q101 qualified

? High temperature applications

?up to 175 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTB114ETVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.46W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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