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PDTB113ZQA_SER

50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZT

絲印：XK；Package：SOT23；PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ

1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD113ZT. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors ?

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PDTB113ZU

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zh/marking.html">ZH；Package：SOT323；500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZU

500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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PDTB113ZU

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zh/marking.html">ZH；Package：SOT323；500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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PDTB113EK

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113EQA

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/000001/marking.html">000001；Package：DFN1010D-3；50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors

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PDTB113ET

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ZK

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ZT

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN1010D-3

  • Size (mm)：

    1.1 x 1 x 0.37

  • Channel type：

    PNP

  • Ptot (mW)：

    250

  • IC [max] (mA)：

    500

  • R1 (typ) (kΩ)：

    1

  • VCEO (V)：

    50

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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22+
SOT1215
200000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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更多PDTB113供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:30:00

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