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PDTA143XM-Q	文件：232.82 Kbytes Page：12 Pages	50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications Applications ?Digitalapplicationsi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTA143XQB-Q	文件：363.08 Kbytes Page：20 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors 1.Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinanultrasmallDFN1110D-3(SOT8015) leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEDEC NPNcomplement: PDTA14	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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