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PDTA123JMB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PDTA123JMB |
| 參數(shù)屬性 | PDTA123JMB 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT883B / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
842.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-23 23:00:00 |
| 人工找貨 | PDTA123JMB價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PDTA123JMB規(guī)格書詳情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTC123JMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PDTA123JMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
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SOT23 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT23 |
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