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PDTC114EE	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PDTC114EM	文件：215.17 Kbytes Page：11 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaultrasmallSOT883(SC-101)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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