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PDTB113ET

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ET

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Featuresandbenefits *500mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDB-V113

  • 制造商：

    Advanced Photonix

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管

  • 包裝：

    散裝

  • 波長：

    950nm

  • 顏色 - 增強：

    藍色

  • 頻譜范圍：

    350nm ~ 1100nm

  • 二極管類型：

    引腳

  • 不同 nm 時響應(yīng)度：

    0.17 A/W @ 450nm

  • 響應(yīng)時間：

    13ns

  • 電流 - 暗（典型值）：

    300pA

  • 有效面積：

    8.24mm2

  • 視角：

    120°

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 90°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 描述：

    SENSOR PHOTODIODE 950NM RADIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PDB-V113供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:19:00

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