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PD57060分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57060
廠商型號

PD57060

參數(shù)屬性

PD57060 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

文件大小

305.82 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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PD57060規(guī)格書詳情

PD57060屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD57060晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

DESCRIPTION

The PD57060S is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD57060S boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD57060S’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? COMMON SOURCE CONFIGURATION

? POUT = 60 W with 14.3 dB gain @ 945 MHz / 28V

? NEW RF PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD57060S-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    14.3dB

  • 額定電流(安培):

    7A

  • 功率 - 輸出:

    60W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應商器件封裝:

    PowerSO-10RF(直引線)

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
24+
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ST
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PowerSO-10
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