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PD54003S-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD54003S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD54003S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
1.53332 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
27 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 23:01:00 |
| 人工找貨 | PD54003S-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD54003S-E規(guī)格書詳情
PD54003S-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD54003S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD54003S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
12dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
3W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST(意法半導體) |
24+ |
PowerSO10 |
7350 |
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詢價 | ||
ST |
25+ |
QFN |
4500 |
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詢價 | ||
ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
PowerSO-10 |
739 |
詢價 | |||
ST/意法 |
25+ |
SOP |
10 |
全新原裝正品支持含稅 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10RF(直引線) |
38550 |
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詢價 | ||
ST |
24+ |
QFN |
5989 |
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