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PD20015C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD20015C
廠商型號

PD20015C

參數(shù)屬性

PD20015C 封裝/外殼為M243;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 2GHZ M243

功能描述

RF power transistor, LdmoST family
FET RF 40V 2GHZ M243

封裝外殼

M243

文件大小

155.35 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 14:03:00

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PD20015C規(guī)格書詳情

PD20015C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD20015C晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PD20015C is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 2 GHz. PD20015C boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology.

PD20015C’s superior linearity performance makes it an ideal solution for mobile application.

特性 Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 15 W with 11 dB gain @ 2 GHz / 13.6 V

■ BeO free package

■ ESD protection

■ In compliance with the 2002/95/EC european directive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD20015C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11dB

  • 額定電流(安培):

    7A

  • 功率 - 輸出:

    15W

  • 封裝/外殼:

    M243

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M243

  • 描述:

    FET RF 40V 2GHZ M243

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導(dǎo)體
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10RF-Formed-4
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ST/意法半導(dǎo)體
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