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PCF84C12AP	文件：127.82 Kbytes Page：16 Pages	8-bit microcontrollers GENERALDESCRIPTION ThisdatasheetdetailsthespecificpropertiesofthePCF84C12A,PCF84C22AandPCF84C42A.ThesharedpropertiesofthePCF84CxxxAfamilyofmicrocontrollersaredescribedinthe“PCF84CxxxAfamily”datasheet,whichshouldbereadinconjunctionwiththispublication.Noteth	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PCF84C12AP	文件：89.28 Kbytes Page：16 Pages	8-bit microcontroller GENERALDESCRIPTION ThisdatasheetdetailsthespecificpropertiesofthePCF84C12A,PCF84C22AandPCF84C42A.ThesharedpropertiesofthePCF84CxxxAfamilyofmicrocontrollersaredescribedinthe“PCF84CxxxAfamily”datasheet,whichshouldbereadinconjunctionwiththispublication.Noteth	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BXZ84C12	文件：111.72 Kbytes Page：2 Pages	350mWZENERDIODES(2.7Vto51V) Features ■5VOLTAGETOLERANCE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
BXZ84C12	文件：129.789 Kbytes Page：3 Pages	350mWZENERDIODES(2.7Vto51V)5VOLTAGETOLERANCE	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
BZD84C12	文件：162.86 Kbytes Page：3 Pages	DualZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BZD84C12	文件：168.35 Kbytes Page：3 Pages	300mWSOT-23SeriesDualZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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BZX84C12	文件：71.39 Kbytes Page：3 Pages	VoltageRange2.4to51Volts350mWattsPowerDissipation FEATURES -Zenervoltagesfrom:2.4V-39V -Planardieconstruction -Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses -Moisturesensitivity:Level1perJ-STD-020	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BZX84C12	文件：153.69 Kbytes Page：5 Pages	300mWSurfaceMountZenerDiodes Features ?SiliconPlanarPowerZenerDiodes ?350mWPowerDissipation ?StandardZenerVoltageToleranceis±5 ?IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsinreflowsolderingprocess ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BZX84C12	文件：111.31 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4-39VoltsPOWER410mWatts FEATURES ?PlanarDieconstruction ?410mWPowerDissipation ?IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses ?Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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