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PCDB0865G1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

PCDB0865G1
廠商型號

PCDB0865G1

參數(shù)屬性

PCDB0865G1 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

功能描述

Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

絲印標識

CDB0865G1

封裝外殼

TO-263 / TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

1.85066 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

PANJIT

中文名稱

強茂

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-10 12:01:00

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PCDB0865G1規(guī)格書詳情

PCDB0865G1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由強茂股份有限公司制造生產(chǎn)的PCDB0865G1二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

特性 Features

? Temperature Independent Switching Behavior

? High Surge Current Capability

? Positive Temperature Coefficient on VF

? Low Conduction Loss

? Zero Reverse Recovery

? High junction temperature 175 oC

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

Application

? PFC, UPS, PV Inverter, EV Charging Station, Welder

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PCDB0865G1_T0_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時電容:

    296pF @ 1V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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