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PBSS5250TH-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PBSS5250TH-Q
廠商型號(hào)

PBSS5250TH-Q

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

FH

封裝外殼

SOT23

文件大小

264.6 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-20 15:38:00

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PBSS5250TH-Q規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability: IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? Higher efficiency leading to less heat genereation

? High temperature applications up to 175 °C

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management

? DC-to-DC conversion

? Supply line switches

? Battery charger switches

? Peripheral drivers

? Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

? Inductive load driver

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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