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PBSS5220V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5220V
廠商型號

PBSS5220V

參數(shù)屬性

PBSS5220V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT666

功能描述

20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SOT-563,SOT-666

文件大小

182.56 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-9 20:00:00

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PBSS5220V規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4220V.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Low power switches (e.g. motors, fans)

■ Portable applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5220V,115

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    390mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    155 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    185MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-563,SOT-666

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SOT666

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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