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PBSS5130T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PBSS5130T
廠商型號(hào)

PBSS5130T

參數(shù)屬性

PBSS5130T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 1A TO236AB

功能描述

30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

3E

封裝外殼

TO-236AB / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

319.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-16 22:59:00

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PBSS5130T規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

? Small SMD plastic package

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability: IC and ICM

? Higher efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? DC-to-DC conversion

? Supply line switching

? Battery charger

? LCD backlighting

? Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS5130T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    225mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    260 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A TO236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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