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PBSS4160QA-Q

60V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabi

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4160T

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprinted-circuitboardarearequired ?

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160T

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

PBSS4160T

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprint

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4160T-Q

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducespri

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4160U

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Highcollectorcurrentcapability:ICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4160V

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4160V

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160X

60V,1ANPNlowVCEsatBISStransistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PBSS4160DPN

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA
21+
7500
只做原裝正品!現(xiàn)貨庫(kù)存!可開(kāi)13點(diǎn)增值稅票
 詢價(jià)
恩XP
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8548
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價(jià)
恩XP
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
恩XP
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
恩XP
24+
6-TSOP
115
詢價(jià)
恩XP
23+
SOT23-6
60000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
Nexperia
24+
NA
3704
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
恩XP
23+
NA
60315
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
恩XP
1948+
SOT23-6
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
24+
NA
21000
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家
 詢價(jià)
更多PBSS4160DPN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-24 10:16:00

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