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PBSS4160QA-Q

60V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabi

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4160T

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprinted-circuitboardarearequired ?

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160T

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

PBSS4160T

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprint

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4160T-Q

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducespri

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4160U

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Highcollectorcurrentcapability:ICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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PBSS4160V

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

1.Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4160V

60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4160X

60V,1ANPNlowVCEsatBISStransistor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBSS4160DPN

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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只做原裝正品!現(xiàn)貨庫存!可開13點增值稅票
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21000
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更多PBSS4160DPN供應商 更新時間2025-7-25 16:10:00

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