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PBSS4130QA	文件：743.72 Kbytes Page：17 Pages	Marking：010010；Package：DFN1010D-3；30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5130QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS4130QAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4130T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS4130T	文件：49.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5130T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS4130T	文件：169.83 Kbytes Page：8 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES ·Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ·HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ·Highefficiencyleadingtolessheatgeneration ·Reducedprinted-circuitboardrequirements ·CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecific applications. APPLICATIONS ·Power	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PE4130	文件：105.5 Kbytes Page：1 Pages	NFEMALESOLDER/CLAMPATTACHMENTFORRG405PE-SR405AL&PE-SR405FL NFEMALESOLDER/CLAMPATTACHMENTFORRG405PE-SR405AL&PE-SR405FL	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
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