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PBSS3515M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

PBSS3515M

參數(shù)屬性

PBSS3515M 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

DB

封裝外殼

SOT883 / 3-XFDFN

文件大小

353.04 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-21 20:00:00

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PBSS3515M規(guī)格書詳情

FEATURES

?Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

?High collector current capability IC and ICM

?High efficiency leading to reduced heat generation

?Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

?Power management:

–DC-DC converter

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

?Peripheral driver:

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.

NPN complement: PBSS2515M.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS3515MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    25mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    280MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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