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PBSM5240PFH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PBSM5240PFH |
| 參數(shù)屬性 | PBSM5240PFH 封裝/外殼為6-UFDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途；PBSM5240PFH應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSON |
| 功能描述 | 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | DFN2020-6 / 6-UFDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
1.44438 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | PBSM5240PFH價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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PBSM5240PFH規(guī)格書詳情
1.1 General description
Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and
N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The
device is housed in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
1.2 Features and benefits
? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability IC and ICM
? High energy efficiency due to less heat generation
? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
? Load switch ? Battery-driven devices
? Power management ? Charging circuits
? Power switches (e.g. motors, fans)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PBSM5240PFH,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 特殊用途
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP，N 通道
- 應(yīng)用：
通用
- 電壓 - 額定：
40V PNP，30V N 通道
- 額定電流（安培）：
1.8A PNP，660mA N 通道
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
6-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-HUSON（2x2）
- 描述：
TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSON
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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原裝正品 |
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