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PDTA123EE	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTA123EEF	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123EEF	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PBRN123ET
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	25+	SOT-23	600000	NEXPERIA/安世全新特價(jià)PBRN123ET即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂	詢價(jià)
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深圳龐田科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	2023+	SOT-23	48000	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	PBRN123ET	恩XP	23+	SOT23-3	3500	原廠原裝正品	詢價(jià)

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