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PBHV9040T中文資料500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor數(shù)據(jù)手冊恩XP規(guī)格書

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廠商型號

PBHV9040T

參數(shù)屬性

PBHV9040T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB

功能描述

500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-12 17:47:00

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PBHV9040T規(guī)格書詳情

描述 Description

General description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8540T.

特性 Features

■ High voltage
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ AEC-Q101 qualifiedApplications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ LED driver for LED chain module
■ LCD backlighting
■ High Intensity Discharge (HID) front lighting
■ Automotive motor management
■ Hook switch for wired telecom
■ Switch mode power supply?

技術參數(shù)

  • 產品編號:

    PBHV9040TVL

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 20mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    55MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
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原裝,正品
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24+
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