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P6SMBJ30A數(shù)據(jù)手冊電路保護(hù)的TVS-二極管規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號(hào)

P6SMBJ30A

參數(shù)屬性

P6SMBJ30A 封裝/外殼為DO-214AA,SMB;包裝為卷帶(TR);類別為電路保護(hù)的TVS-二極管;P6SMBJ30A應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AA

功能描述

600W 瞬態(tài)抑制二極管

封裝外殼

DO-214AA,SMB

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名稱

瑞能半導(dǎo)體 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 14:18:00

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P6SMBJ30A規(guī)格書詳情

特性 Features

? Peak pulse power 600W @ 10/1000μs waveform
? Excellent clamping capability
? Low incremental surge resistance
? Surface mount package for easy assembly and PCB space-saving
? Typical IR < 1μA when VBR min > 12V
? Fast response time: typically < 1.0ps from 0V to VBR minimum
? IEC 61000-4-2 ESD 30kV (Air), 30kV (Contact)
? EFT protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-4
? Guaranteed high temperature for reflow soldering: 260°C/10sec
? Mold compound complies to UL94V-0 flammability classification
? Meets MSL level 1, per J-STD-020
? Pb-free lead finish
? Halogen free and RoHS compliant

應(yīng)用 Application

? Power supplies
? Industrial applications
? Power management circuits
? I/O interfaces

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :P6SMBJ30A

  • 生產(chǎn)廠家

    :WeEn

  • Configuration

    :Uni-directional

  • Reverse Stand off Voltage VR (V)

    :30

  • Breakdown Voltage VBR@IT (V) [min]

    :33.55

  • Breakdown Voltage VBR@IT (V) [max]

    :36.54

  • Test current IT (mA)

    :1

  • Max.Clamping Voltage VC@IPP (V)

    :48.4

  • Max.Peak Pulse Current Ipp@10/1000 μs(A)

    :12.4

  • Maximum Reverse Leakage IR@VR (μA)

    :1

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