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P3M12090G7數(shù)據(jù)手冊PN Junction中文資料規(guī)格書

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廠商型號

P3M12090G7

功能描述

碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET)

制造商

PN Junction PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (ZHEJIANG) CO.LTD.

中文名稱

派恩杰半導體 派恩杰半導體(浙江)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 20:00:00

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P3M12090G7規(guī)格書詳情

描述 Description

SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了一場影響深遠的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導通電阻,開關(guān)損耗,高溫運行和導熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此,在汽車應(yīng)用,工業(yè)應(yīng)用,通信電源和數(shù)據(jù)中心,SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導體在650V,1200V,1700V多個電壓平臺均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品,且在不同載流能力和封裝形式上,產(chǎn)品目錄齊全,可以為客戶提供全方位的選擇。

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