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P3M06035K4數(shù)據(jù)手冊(cè)PN Junction中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
P3M06035K4 |
| 功能描述 | 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） |
| 制造商 | PN Junction PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (ZHEJIANG) CO.LTD. |
| 中文名稱 | 派恩杰半導(dǎo)體 派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 11:06:00 |
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P3M06035K4規(guī)格書詳情
描述 Description
SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了一場(chǎng)影響深遠(yuǎn)的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗，高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此，在汽車應(yīng)用，工業(yè)應(yīng)用，通信電源和數(shù)據(jù)中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導(dǎo)體在650V，1200V，1700V多個(gè)電壓平臺(tái)均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品，且在不同載流能力和封裝形式上，產(chǎn)品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。
