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SI2302

Plastic-EncapsulateMOSFETS

CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司

SI2302

N-ChannelEnhancementMOSFET

N-ChannelEnhancementMOSFET ■FEATURES TrenchFETPowerMOSFET

YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.

壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司

SI2302

Plastic-EncapsulateMosfets

FEATURES ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?CaseMaterial:MoldedPlastic.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?RuggedandReliable ?LeadFreeProductisAcquired ?HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HalogenFreeAvailableUponRequestbyAddingSuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

SI2302A

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SI2302ADS

N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2302ADS

N-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2302ADS

20VN-ChannelMOSFET

Application ?Load/Powerswitch| +Interfacing,logicswitching| ?Batterymanagementforultraprotable electronics

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

SI2302B

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Min Capacitance Tip to Ring (pF)：

    10

  • di/dt @ 110°C (A/μs)：

    500

  • DRM.\>IDRM @ VDRM (μA)：

    5

  • Holding Current (mA)：

    120

  • Iscurr：

    800

  • Package Size：

    DO-214AA

  • Regulatory Requirements：

    GR1089 INTER-BUILDING (SERIESGR1089 INTRA-BUILDINGITU K.20ITU K.20 ENHANCEDITU K.21 ENHANCEDTIA-968-AYD/T 993-1998 WITH PRIMARY (SEYD/T 993-1998 WITHOUT PRIMARY

  • Ipp10x1000：

    80

  • Ipp10x160：

    150

  • Ipp10x560：

    100

  • Ipp10x700：

    100

  • Ipp2x10：

    250

  • Ipp5x310：

    100

  • Ipp5x320：

    100

  • Ipp8x20：

    250

  • Peak Off-State Voltage Tip to Ring (V)：

    190

  • DRM-1\>Pins Tip to Ring：

    1-2

  • Switching Voltage Tip to Ring (V)：

    260

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Littelfuse
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更多P2302SB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:14:00

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