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P123中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

P123
廠商型號

P123

功能描述

PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.89 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

POLYFET

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-31 23:00:00

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P123規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high F enhance broadband performance

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    P123

  • 功能描述:

    SCR HY-BRIDGE 800V 25A PACE-PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    半導(dǎo)體模塊 >> SCR

  • 系列:

    -

  • 其它有關(guān)文件:

    SCR Module Selection Guide

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    10

  • 結(jié)構(gòu):

    串聯(lián) - SCR/二極管 SCR

  • 數(shù)目,二極管:

    1 SCR,1 個(gè)二極管 電壓 -

  • 斷路:

    1600V 電流 -

  • 柵極觸發(fā)電流(Igt)(最大):

    150mA 電流 -

  • 導(dǎo)通狀態(tài)(It(AV))(最大):

    95A 電流 -

  • 導(dǎo)通狀態(tài)(It(RMS))(最大):

    210A 電流 -

  • 非重復(fù)電涌,50、60Hz(Itsm):

    1785A,1870A 電流 -

  • 維持(Ih):

    250mA

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    ADD-A-PAK(3 + 2)

  • 包裝:

    散裝

  • 其它名稱:

    *IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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