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P008B

型號：P0080SB；Package：SMB；Thyristor Surge Suppresspr

Features Lowcapatcitance Cannotbedamagedbyvoltage Willnotfatigue Eliminatevoltageovershoot Glasspassivatedjunction HalogenfreeandRoHScompliant

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

P008B

型號：P0080SB；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

P008B

型號：P0080SB；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

Description DO-214AAThyristorsolidstateprotectionthyristorprotect telecommunicationsequipmentsuchasmodems,linecards, faxmachines,andotherCPE. PSeriesdevicesareusedtoenableequipmenttomeet variousregulatoryrequirementsincludingGR1089,ITU K.20,K.21andK.45,IEC

YAGEOYageo Corporation

國巨臺灣國巨股份有限公司

P008B

型號：P0080TB；Package：DO-214AC；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

P008B

型號：PO08OSB；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppresspr

Features Lowcapatcitance Cannotbedamagedbyvoltage Willnotfatigue Eliminatevoltageovershoot Glasspassivatedjunction HalogenfreeandRoHScompliant Applications CASE:SMBJ(DO-214AA)MoldedPlastic ULFlammabilityClassificationRating94V0 MountingPosition:Any

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

P008B

型號：P0080SB；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors

HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD

華興安深圳市華興安電子有限公司

P008B

型號：P0080SBLRP；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors

HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD

華興安深圳市華興安電子有限公司

P008B-2

型號：P0080SB-2L；Package：SMB-3L；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    P008B

  • 功能描述：

    硅對稱二端開關(guān)元件 100A 6V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Bourns 轉(zhuǎn)折電流

  • VBO：

    40 V 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO：

    800 mA

  • 不重復(fù)通態(tài)電流：

    額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    25 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    保持電流（Ih

  • 最大值）：

    50 mA

  • 開啟狀態(tài)電壓：

    5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容

  • CO：

    120 pF

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多P008B供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 17:26:00

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