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RTI-835-H

IBM-ATCompatibleHigh-PerformanceMultifunctionI/OBoards

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

RTI-835-L

IBM-ATCompatibleHigh-PerformanceMultifunctionI/OBoards

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

SB835

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURES ?Epitaxialconstructionforchip ?Highcurrentcapability ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecapability ?Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension

SSE

Shanghai Sunrise Electronics

SB835

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A

VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability

GULFSEMIGulf Semiconductor

海灣電子海灣電子（山東）有限公司

SBD835L

8ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ?GuardRingDieConstructionforTransientProtection ?LowPowerLoss,HighEfficiency ?HighSurgeCapability ?HighCurrentCapabilityandVeryLowForwardVoltageDrop ?SurgeOverloadRatingto150APeak ?PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

SBL835

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

VOLTAGERANGE:30---100V CURRENT:8.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,◇Theplastic

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

SBL835

8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

SBL835

LowVFSchottkyBarrierRectifiers

FEATURES *Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton *Guardringfortransientprotection *Lowpowerloss,highefficiency *Highcurrentcapability,lowVF *Highsurgecapacity *Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotec

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SBLF835

SchottkyBarrierRectifiers

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

SBM835L

8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ?GuardRingDieConstructionforTransientProtection ?LowForwardVoltageDrop ?ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications ?PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    OPA835IDBVT

  • 功能描述：

    高速運算放大器 Ultra Low Pwr RRO Neg Rail In VFB Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量：

    1 電壓增益

  • dB：

    116 dB

  • 輸入補償電壓：

    0.5 mV

  • 轉(zhuǎn)換速度：

    55 V/us

  • 工作電源電壓：

    36 V

  • 電源電流：

    7.5 mA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-8

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
22+
SOIC-8
5500
原裝正品,假一罰十!
 詢價
2125+5
60000
詢價
TI(德州儀器)
24+
SOT-23-6
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
TI/德州儀器
1210+
NA
1
詢價
TI/德州儀器
1210+
NA
1
詢價
TI
24+
原廠原封
6523
進口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品
 詢價
TI
17+
NA
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
TI
2018+
26976
代理原裝現(xiàn)貨/特價熱賣!
 詢價
TI
20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
TI
23+
SOT23-6
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
更多OPA835IDBVT供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:48:00

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