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NXH35C120L2C2S1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH35C120L2C2S1G
廠商型號

NXH35C120L2C2S1G

參數(shù)屬性

NXH35C120L2C2S1G 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

功能描述

TMPIM 35 A CIB/CI Module
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

封裝外殼

26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)

文件大小

277.71 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-10 23:00:00

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NXH35C120L2C2S1G價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

NXH35C120L2C2S1G規(guī)格書詳情

NXH35C120L2C2S1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH35C120L2C2S1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NXH35C120L2C2S1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • 配置:

    三相反相器,帶制動器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,35A

  • 輸入:

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    26-DIP

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
24+
DIP-52
911
深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
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恩XP
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1476
原裝現(xiàn)貨,免費供樣,技術(shù)支持,原廠對接
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NXP微控制器MCU-可開原型號增稅票
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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