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NX5008NBKM中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NX5008NBKM
廠商型號(hào)

NX5008NBKM

功能描述

50 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

Y3

封裝外殼

SOT883

文件大小

282.3 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 15:30:00

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NX5008NBKM規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3

(SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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