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NX3L2G66GM

雙低電阻單刀單擲模擬開關(guān); 1.4 V至4.3 V的寬電源電壓范圍\n極低導(dǎo)通電阻（峰值）： VCC = 1.4 V時(shí)，1.6?（典型值）\nVCC = 1.65 V時(shí)，1.0?（典型值）\nVCC = 2.3 V時(shí)，0.55 ?（典型值）\nVCC = 2.7 V時(shí)，0.50 ?（典型值）\nVCC = 4.3 V時(shí)，0.50 ?（典型值）\n\n高抗噪性\nESD保護(hù)： HBM JESD22-A114F 3A類超過7500 V\nMM JESD22-A115-A超過200 V\nCDM AEC-Q100-011修訂版B超過1000 V\nIEC61000-4-2接觸放電超過4000 V（適合開關(guān)端口）\n\nCMOS低功耗\n閉鎖性能超過100 mA，符合JESD 78 II類A級標(biāo)準(zhǔn)\n3.0 V時(shí)具有TTL電平的直接接口\n控制輸入接受高于電源電壓的電壓\n大電流處理能力（3.3 V電源下為350 mA連續(xù)電流）\n額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C\n;

NX3L2G66是雙路低電阻單刀單擲模擬開關(guān)。每個(gè)開關(guān)都具有兩個(gè)輸入/輸出端子（nY和nZ）以及一個(gè)高電平有效使能輸入(nE)。針腳nE為低電平時(shí)，模擬開關(guān)關(guān)閉。\n使能輸入(nE)處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路容許較慢的輸入上升和下降時(shí)間。NX3L2G66允許振幅高達(dá)VCC的信號從nY傳輸?shù)絥Z；或從nZ傳輸?shù)絥Y。其低導(dǎo)通電阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)確保最小衰減和傳輸信號失真。\n