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NX3008PBKMB中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NX3008PBKMB
廠商型號(hào)

NX3008PBKMB

功能描述

30 V, single P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

0000

封裝外殼

SOT883B

文件大小

1.65853 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:01:00

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NX3008PBKMB規(guī)格書詳情

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Very fast switching

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? ESD protection up to 2 kV

? Ultra thin package profile with

0.37 mm height

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NX3008PBKMB

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan -30V -300mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXP
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NA/
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