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NVMYS3D3N06CLTWG中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVMYS3D3N06CLTWG
廠商型號

NVMYS3D3N06CLTWG

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 3.0 m, 133 A

絲印標識

3D3N06CL

封裝外殼

LFPAK4

文件大小

342.07 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 23:00:00

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特性 Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? LFPAK4 Package, Industry Standard

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價出售,實單可談
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N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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ON
23+
12000
全新、原裝
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LFPAK-4
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新到現(xiàn)貨,只有原裝
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