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NVMYS008N08LHTWG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVMYS008N08LHTWG
廠商型號

NVMYS008N08LHTWG

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

絲印標識

008N08LH

封裝外殼

LFPAK4

文件大小

282.22 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 9:31:00

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NVMYS008N08LHTWG規(guī)格書詳情

特性 Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? LFPAK4 Package, Industry Standard

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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