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NVMYS005N10MCLTWG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NVMYS005N10MCLTWG
廠商型號(hào)

NVMYS005N10MCLTWG

功能描述

MOSFET – Power, Single N-Channel 100 V, 5.1 m, 108 A

絲印標(biāo)識(shí)

005N10MCL

封裝外殼

LFPAK4

文件大小

326.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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NVMYS005N10MCLTWG規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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