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NVLJWS011N06CLTAG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVLJWS011N06CLTAG
廠商型號(hào)

NVLJWS011N06CLTAG

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 9 m, 48 A

絲印標(biāo)識(shí)

011N

封裝外殼

WDFNW6

文件大小

163.85 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 16:42:00

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特性 Features

? Small Footprint for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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只做原裝正品
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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