NVD5C464N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NVD5C464N |
參數(shù)屬性 | NVD5C464N 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:T6 40V DPAK EXPANSION AND |
功能描述 | MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 5.8 m, 59 A |
文件大小 |
232.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 16:10:00 |
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NVD5C464N規(guī)格書詳情
NVD5C464N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5C464N晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
特性 Features
? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NVD5C464NLT4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
18A(Ta),64A(Tc)
- 描述:
T6 40V DPAK EXPANSION AND
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
149 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |