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NVD5C464N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NVD5C464N
廠商型號

NVD5C464N

參數(shù)屬性

NVD5C464N 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:T6 40V DPAK EXPANSION AND

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 5.8 m, 59 A
T6 40V DPAK EXPANSION AND

文件大小

232.54 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-7 16:10:00

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NVD5C464N規(guī)格書詳情

NVD5C464N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5C464N晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NVD5C464NLT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    18A(Ta),64A(Tc)

  • 描述:

    T6 40V DPAK EXPANSION AND

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
12500
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
ON
23+
NA
6800
原裝正品,力挺實(shí)單
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價(jià)
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
ON
23+
TO-252
149
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
ON(安森美)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
ON
23+
TO-252
5000
原廠原裝正品
詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)