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NVD5803N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVD5803N

Power MOSFET 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.; ? Low on-resistance\n? High current capability\n? 100% avalanche energy tested;

Automotive Power MOSFET. 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

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Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N??hannel, DPAK

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詳細參數

  • 型號：

    NVD5803N

  • 功能描述：

    MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NVD5803N供應商 更新時間2025-7-28 17:06:00

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