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NVD260N65S3中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVD260N65S3
廠商型號(hào)

NVD260N65S3

功能描述

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 260 m, 12 A

絲印標(biāo)識(shí)

V260N65S3

封裝外殼

DPAK3

文件大小

310.37 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 23:39:00

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NVD260N65S3規(guī)格書詳情

特性 Features

? Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance

? Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
20+
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32550
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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只做原裝正品
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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